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Preliminary Technical Information
Linear Power MOSFET
w/Extended FBSOA
IXTK8N150L
IXTX8N150L
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1500V
= 8A
< 3.6 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Guaranteed FBSOA
TO-264(IXTK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
1500
V
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
1500
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
Transient
± 40
V
I D25
I DM
P D
T J
T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
8
20
700
-55 to +150
150
A
A
W
° C
° C
PLUS247(IXTX)
T stg
T L
1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s
-55 to +150
300
° C
° C
G
D
S
(TAB)
T SOLD
M d
F C
Weight
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (IXTK)
Mounting Force (IXTX)
TO-264
PLUS247
260
1.13/10
20..120 / 4.5..27
10
6
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
Designed for Linear Operations
International Standard Packages
Guaranteed FBSOA at 60 ° C
Molding Epoxies Meet UL94 V-0
Flammability Classification
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
1500
5.0
8.0
± 200
V
V
nA
Programmable Loads
Current Regulators
DC-DC Convertors
Battery Chargers
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
3 mA
DC Choppers
Temperature and Lighting Controls
R DS(on)
V GS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
3.6
Ω
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99616A(2/09)
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